<규 격 서>

<품명><반도체 공정 및 소자 설계 시뮬레이터>

<규격><SEMI-SIM>

<제조사 기준모델><TCAD SEMI-SIM><수량><15><단위><SET>

<물품분류번호 (8자리)><43232102><세부품명번호 (10자리)><4323210201(유사)>

<세부사양 (Specification)><A. 특징 (Features) 본 제품은 반도체 공정 및 소자의 물리적 거동을 수치 시뮬레이션을 통해 분석하는 TCAD (Technology Computer-Aided Design) 시뮬레이터이다. 실제 공정을 수행하기 전에 공정 파라미터 최적화, 소자 특성 예측, 신뢰성 분석 등을 가상 환경에서 수행함으로써 개발 비용 및 시간을 절감한다 본 제품은 4개의 핵심 모듈로 구성된다. 공정 시뮬레이터(Process Simulator)는 산화, 확산, 이온주입, 식각, 증착 등 반도체 제조 공정의 각 단계를 수치적으로 모사한다. 소자 시뮬레이터(Device Simulator)는 PN 접합, MOS 소자, BJT, 전력 소자 등 다양한 반도체 소자의 전기적 특성을 해석한다. 메시 생성기(Mesh Generator)는 2D 및 3D 구조에 대해 적응형 메시를 자동으로 생성하며, 시각화 도구(Visualizer)는 농도 분포, 전위, 전류 밀도 등 시뮬레이션 결과를 그래픽으로 표현한다. 모든 시뮬레이션 결과는 3D 그래픽 공간에서 마우스를 이용하여 회전이 가능하며, 공정 및 소자에서 시간에 따른 물리적 변화를 그래픽으로 가시화하여 볼 수 있다. 4개의 핵심 모듈은 서로 다른 응용프로그램이 아니라 한의 응용 프로그램안에서 실행된다. B. 규격 (Specifications) 공정 시뮬레이터 1. 산화 공정 (Oxidation) 산화 공정 시뮬레이션은 Deal-Grove 선형-포물선 모델을 기본으로 하며, 응력 의존 점성 유동 모델을 추가로 지원한다. Dry O₂, Wet O₂(H₂O), Pyrogenic 방식의 산화를 모두 모사할 수 있다. 공정 온도는 700°C에서 1200°C, 압>