구 매 규 격 서
| 품 목 번 호 | - | 세부품명번호 (10자리) | 2399039801 | 수량/단위 | 1대 |
| 품 명 | 한글 | 다목적 박막 증착용 스퍼터 시스템 | |||
| 영문 | Sputter system for Multi-Purpose Thin Film Deposition |
※ 아래의 기본제원과 동일하거나 동등이상일 것
(The specifications should be equivalent or better than the following specifications)
1. 특징
교육‧연구 1) 본 장비는 반도체 디스플레이 공정의 핵심 기술인 박막 증착(Thin Film Deposition) 공정을
목적으로 수행하기 위한 다목적 박막 증착용 스퍼터 시스템 장비이다.
2) 본 장비는 증착 능력, 복잡한 합금을 유지하는 능력이 뛰어나고, 고온에서 내열성 금속의 증착 능력
이 뛰어남. 고 융점 금속이나 합금 등 진공 증착법으로 어려운 재료도 성막이 가능하며 광범위한 재료
에 적용이 가능한 장비이다.
3) 본 장비는 반도체 공정에서 사용하는 장비로써 금속, 산화물, 세라믹 등 다양한 물질의 수 십~수 백
nm의 매우 얇은 물질 층 박막을 제조할 수 있고, 추가적인 여러 차례의 연속 공정이 가능하다.
4) 챔버 내부에는 증착 등으로 인한 오염을 방지하기 위한 크리닝 커버를 포함해야 한다.
5) 기판 온도는 최대 400도이상을 충족하여야 한다.
6) 장비구동에 반드시 필요한 공압과 냉각수에 대한 안전 인터락(Safety Interlock)이 구성되어 있어야 한
다.
7) 장비 제작시 중고품을 사용할 수 없으며, 반드시 신품으로 제작하여야 한다.
8) 본 장비와 동등 또는 동등 이상의 장비로 납품하여야 한다.
2. 성능 및 규격
1) 장비 구성
(1) 진공 챔버 모듈
(2) 진공 모듈
(3) 가스 공급 모듈
(4) 프레임 모듈
2. 장비 상세 규격
(1) 진공 챔버 모듈
• 진공 챔버
- 챔버 재질: Electro-polished SUS
- 챔버 형태: 반구형
- 챔버 내부 오염방지를 위한 크리닝 커버 포함
- 챔버 상단 플레이트 개폐 방식: 모터
- 시료(웨이퍼) 장착 방식: 엑세스 도어 개폐를 통한 로딩/언로딩
- 챔버 내부 가스 퍼지(Purge) 및 벤트(Vent) 공정 수행
- 챔버 내부 누수 감지 센서
• 기판 히터
- 히터 종류: Molded heater
- 기판 온도: 최대 400도
- 웨이퍼 크기 & 용량: 조각 사이즈부터 최대 6인치 웨이퍼 & 1장
- 기판 회전 방식: 모터
- 기판 회전 속도: 1~20 rpm
• 스퍼터 건
- 스퍼터 건 크기 & 수량: 4인치 건 & 3개
- 스퍼터 건 셔터 개폐 방식: 에어 실린더
- Peek 재질로 된 전극 절연체 포함
- 건의 자석이 냉각수와 닿지 않도록 설계되어야 함
- 표면자석 가우스(Gauss) 값: 중앙 자석-4,500G 이상 / 가장자리 자석-3,300G 이상
- 건 백 플레이트 재질: 구리(Cu)
(2) 진공 모듈
• 진공 펌프
- 저진공 용 로터리 펌프: 600L/min 동등 또는 이상
• 압력계
- 고진공용 게이지: 핫 음극 이온 게이지(Hot cathode ion gauge)
- 저진공용 게이지: 컨벡트론 게이지(Contron gauge)
- 게이지 압력 판독기 & 케이블 키트
• 압력 제어
- 자동 압력 컨트롤러(APC)
- 전기식 스로틀 밸브(Electrical throttle valve)
- 바라트론 게이지(Baratron gauge): 최대 측정 범위 1 Torr 동등 또는 이상
• 진공 밸브 및 라인
- 공압식 게이트 밸브(ISO)
- 공압식 앵글 밸브
- 진공 하드 라인 및 벨로우즈 라인
(3) 가스 공급 모듈
• 사용된 가스 & 유량 제어
- 공정용: Ar MFC 1개, O2 MFC 1개 동등 또는 이상
- Purge and vent용: N2 Metering valve 1개
• 가스 밸브 및 라인
- 공압식 다이어프램 밸브
- 튜브 재질: 316L stainless steel, micro-polished
- 10-8 Torr·L/sec.의 헬륨(He) 누출 테스트를 통과한 가스 라인으로 제작
(4) 프레임 모듈
• 시스템 프레임
- 재질: 연강(Mild steel) 동등 또는 이상
- 장비의 이동이 쉬운 캐스터 및 레벨링 풋 부착
2. 부속품 (Accessory)
- 장비 사용 매뉴얼 (출력물 1부, PDF 파일)
3. 공정 조건
(1) Leak rate: 1×10-8 Torr·L/sec 이하
(2) Substrate temperature uniformity : ±< 1.5% (@ wafer 400도, 6인치 TC wafer, 9 point, Ar
30sccm, 5 mtorr, edge 5mm 제외, (max-min)/2 average)
(3) Ti 박막 두께 균일성
- 웨이퍼 내(Within wafer) : 1,500ű5% @6인치 (E/E : 5mm)
- 재현성(Wafer to wafer) : 1,500ű5% @6인치 (E/E : 5mm)
(4) 구매 규격에 기재된 공정 검수 사양 test 자료 (Factory Test Sheet 제출)
(5) 납품 전 제조자의 clean room 내에서 상기 검수 조건에 대한 성능 검사 및 공정 시연을 거쳐야
하고, 검수 조건이 만족되어야만 수요기관으로의 납품이 가능함. 이때, 성능 검사 및 공정
시연을 위한 제반시설(타켓물질, 가스, 냉각수, 그 외 안전을 위한 각종 유틸리티 등)은 제조자가
부담하여 구성하도록 함.
3. 표준 및 부속품
1. 다목적 박막 증착용 스퍼터 시스템 1 대
2. 장비 사용 매뉴얼 (출력물 1부, PDF 파일)
4. 용도 및 AS기간 등
교육‧연구 - 용도 : 반도체 디스플레이 공정의 핵심 기술인 박막 증착(Thin Film Deposition) 공정 목적
- 하자보증기간 : 장비 납품 후 1년
- 교육 : 납품 후 장비 운영에 대한 교육이 이루어져야 하며, 일정은 상호 협의하여 결정
- 납기 : 계약 후 180일
- 납품 장소 : 수요자 지정 장소
- 본 장비는 상기 규격 동등 이상의 장비로 납품이 가능하며, 납품 업체는 계약 전 공급하고자 하는 장
비의 규격을 수요자에게 제출하여 공고 규격과 부합여부를 반드시 확인 후 계약 & 납품하여야 함
5. 중대재해 처벌 등에 관한 법률」제정·시행에 따른 준수사항 안내
- 계약자는 계약체결 이후 「중대재해처벌법」 제4조 및 제5조에 규정된 안전·보건과 관련된 의무를
준수하여야 하며, 입찰자는 현장여건, 과업내용 등을 미리 확인하여 이와 관련된 제반비용을 입찰가격
에 반영하여야 합니다.
- 수요기관은 「중대재해처벌법 시행령」 제4조 제9호에 따라 계약자가 동 법 제4조 및 제5조에 규정된
안전·보건과 관련된 의무를 준수하는지 평가·점검할 수 있으며, 계약자는 수요기관이 평가·점검을 실시하
는 경우 이에 협조하여야 합니다.
- 수요기관은 계약상대자가 안전·보건 확보에 필요한 조치를 소홀히 하거나 이행여부에 대한 점검 결과 보완
및 조치 등이 필요한 경우에는 계약상대자에게 이에 대한 시정을 요구할 수 있습니다.