SiC CMOS 소자 단위공정 진행 용역

연구용역 사양서

1. 용역명

SiC CMOS 소자 단위공정 진행 용역

2. 용역목적

- 본 연구용역은 SiC CMOS 소자 제작을 위한 단위공정을 진행하는 것을 목적으로 한다.

- 이때 진행되는 단위공정의 조건 최적화 및 기술지원을 통해 공정 재현성과 신뢰성을 향상시키기 위한 연구 개발도 포함한다.

3. 용역범위

본 용역은 해당 공정의 개발, 최적화 및 소자 제작 지원으로 한다.

세부 수행 내용은 다음과 같다.

- Align Key 형성

- Ion implantation 공정을 위한 mask 증착 및 식각

- 전기적 활성화를 위한 고온 열처리

- 희생 산화막 형성

- 필드옥사이드 형성

- Source/Drain Ohmic Contact 형성

- Ohmic Contact Annealing

- Interlayer Dielectric 형성

- Contact Hole 형성

- Metal Deposition

- Backside 공정

- 기타 SiC Lateral MOSFET 제작에 필요한 공정 수행

- 후속 공정 조건 최적화

- 공정 기술 지원 및 기술 자문

- 공정 결과 분석 및 개선 방안 도출

※ 세부 공정은 협의를 통해 변경 또는 추가될 수 있다.

4. 수행방법

- 용역기관은 제작공정을 수행하며 공정 조건 최적화 및 공정 기술 개발을 수행한다.

- 공정 수행 과정에서 발생하는 기술적 이슈에 대하여 양 기관이 기술회의를 통해 협의하고 공정 개선 방안을 도출한다.

- 공정 완료 후 공정 결과를 분석하고 최종 연구 결과를 정리한다.

5. 산출물

- 공정 수행 결과 자료

- 공정 최적화 결과

- 최종보고서 1부

6. 수행기간

용역 계약일 ~ 2026. 12. 11

7. 특기사항

- 연구 수행 과정에서 공정 조건 및 세부 공정은 협의를 거쳐 변경 또는 보완할 수 있다.

- 연구 수행 과정에서 발생하는 기술적 사항은 양 기관이 상호 협의하여 해결하며, 필요한 경우 기술 회의를 개최한다.